探針臺根據(jù)測試需求、操作方式及環(huán)境條件可分為多個類別，其核心特點與適用場景如下：

一、按?測試樣品?分類

1、?晶圓測試探針臺?

l ?特點?：支持4寸至12寸晶圓測試，配備高精度移動平臺與探針卡，兼容晶圓廠標(biāo)準(zhǔn)化測試流程。

l ?場景?：晶圓廠量產(chǎn)前的缺陷篩選（CP測試），實驗室芯片原型驗證。

2、?LED測試探針臺?

l ?特點?：集成光學(xué)檢測模塊，可同步測試電學(xué)參數(shù)（如正向電壓）與光學(xué)性能（如光強、波長）。

l ?場景?：LED芯片光效評估、顯示面板背光源質(zhì)量控制。

3、?功率器件測試探針臺?

l ?特點?：支持高壓（＞1000V）、大電流（＞100A）測試，配備耐高溫探針與散熱系統(tǒng)。

l ?場景?：IGBT、SiC MOSFET等功率半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性驗證。

4、?納米器件測試探針臺?

l ?特點?：納米級定位精度（±0.1μm），兼容低溫（如-196℃）與磁場（如0.5T垂直磁場）環(huán)境。

l ?場景?：二維材料、量子點器件等前沿材料的電學(xué)特性研究。

二、按?應(yīng)用環(huán)境?分類

1、?高/低溫環(huán)境測試探針臺?

l ?特點?：溫度范圍覆蓋-65℃至+300℃，支持真空環(huán)境測試，避免冷凝干擾。

l ?場景?：汽車電子低溫冷啟動測試、航天器件高溫可靠性驗證。

2、?射頻（RF）探針臺?

l ?特點?：集成RF屏蔽箱與高頻探針（40GHz以上），支持S參數(shù)、噪聲系數(shù)等射頻指標(biāo)測試。

l ?場景?：5G通信模塊、毫米波雷達(dá)芯片的射頻性能驗證。

3、?真空探針臺?

l ?特點?：全封閉真空腔體設(shè)計，消除空氣放電干擾，兼容低電流（fA級）測試。

l ?場景?：MEMS傳感器、光電探測器的高精度電學(xué)參數(shù)測量。

三、按?操作方式?分類

1、?手動探針臺?

l ?特點?：操作靈活，配置顯微鏡與手動位移臺（行程100mm×100mm），成本低。

l ?場景?：實驗室小批量樣品測試、高?？蒲薪虒W(xué)。

2、?全自動探針臺?

l ?特點?：機械臂自動定位，支持晶圓級批量測試，效率提升30%以上。

l ?場景?：晶圓廠量產(chǎn)測試、高復(fù)雜度芯片（如CPU）的快速篩選。

四、按?特殊功能?分類

1、?雙面點針探針臺?

l ?特點?：支持芯片正反面同步扎針，減少測試誤差。

l ?場景?：3D封裝芯片、TSV（硅通孔）器件的互聯(lián)性驗證。

2、?熱探針臺?

l ?特點?：內(nèi)置加熱模塊，模擬高溫工作條件（如+150℃）。

l ?場景?：功率器件熱穩(wěn)定性測試、封裝材料熱膨脹系數(shù)分析。

      探針臺的多樣性設(shè)計（如手動型靈活適配科研需求、全自動型滿足量產(chǎn)效率）與專業(yè)化擴(kuò)展能力（如RF/真空/高低溫模塊），使其可覆蓋?半導(dǎo)體制造、光電器件研發(fā)、新能源材料分析?等全產(chǎn)業(yè)鏈測試需求。選型時需綜合測試精度、環(huán)境兼容性及成本效益，例如納米器件研發(fā)優(yōu)先選擇低溫磁場探針臺，而量產(chǎn)場景則需全自動機型提升效率。