半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質(zhì)上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應可以確定雜質(zhì)補償度。與其他測試不同的是霍爾參數(shù)測試中測試點多、連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點。

錦正茂霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。

可測試材料: 

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。