磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)JMTS-816的技術(shù)參數(shù)    磁光克爾效應(yīng)裝置是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計(jì)的超高靈敏度磁強(qiáng)計(jì)，是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)的理想測(cè)量工具。旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應(yīng)（RotMOKE）是在磁光克爾效應(yīng)測(cè)量基礎(chǔ)上的一種類(lèi)似于轉(zhuǎn)矩測(cè)量各向異性的實(shí)驗(yàn)方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場(chǎng)大小的限制，只適合于測(cè)量磁各向異性的易軸在膜面內(nèi)而且矯頑場(chǎng)不太大的磁性薄膜材料。結(jié)合源表可以進(jìn)行樣品的磁輸運(yùn)性能測(cè)量。RotMOKE具有以下特點(diǎn)：測(cè)量精度高、測(cè)量時(shí)間短；非接觸式測(cè)量，是一種無(wú)損測(cè)量；測(cè)量范圍為一個(gè)點(diǎn)，可以測(cè)量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產(chǎn)生平滑、穩(wěn)定的受控磁場(chǎng)，并且磁場(chǎng)平滑過(guò)零。  

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應(yīng)用領(lǐng)域：

磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于諸如磁性納米技術(shù)、自旋電子學(xué)、磁性薄膜、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器、GMR/TMR等磁學(xué)領(lǐng)域。

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技術(shù)參數(shù)：

1·光學(xué)平臺(tái)：

   剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺(tái)板厚度，帶腳輪。臺(tái)面平整度0.1/1000mm，平臺(tái)載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。

2·矢量電磁鐵：

錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場(chǎng)0.26T，極面直徑30mm，磁場(chǎng)間隙40mm，中心10mm正方體內(nèi)均勻區(qū)1%。

3·電磁鐵電源：  

錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩(wěn)定性50ppm/h，對(duì)應(yīng)小分辨率0.1Gauss。

4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩(wěn)定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過(guò)聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。

5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長(zhǎng)范圍350~2300nm。

6·聚焦透鏡：K9雙凸，設(shè)計(jì)波長(zhǎng)633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。

7·四分之一波片：?25.4mm，波長(zhǎng)632.8nm，投射波前畸變?chǔ)?8，相位延遲精度λ/100。

8·光電傳感器：15mm2感應(yīng)面積，0.21A/W響應(yīng)度，暗電流1nA，對(duì)430~900nm波長(zhǎng)光敏感，分流電阻200Mohm。

9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05%

10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準(zhǔn)確度達(dá)到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second

11·手動(dòng)位移和電動(dòng)旋轉(zhuǎn)樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉(zhuǎn)動(dòng)360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。

12·計(jì)算機(jī)：聯(lián)想商用，集成多串口卡。

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